Распределение примесей в структурах кремния для p-i-n-диодов, варикапов и лавинно-пролетных диодов (ЛПД)
Характеристики эпитаксиальных структур
| Тип приборов | Тип структур | Вид примесей | Число слоёв | толщина слоёв, мкм | Уровень легирования, см-3 |
| ЛПД |
p++pp+n+nn++ p++pnn++ n++npp++p- |
B; P; As | 1...6 | 0,1...5 | 1015...1020 |
| p-i-n-диод | p+++n-n++
n++p-p++ |
B; P | 1...3 | 1...20 | 1013...1019 |
| Варикап | p++n+n++ | B; P; As | 3...10 | 0,1...3 | 1015...1020 |
Технологический комплекс газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Комплекс AIXTRON-G3 предназначен для производства гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs, InyGa1-yAs/GaAs, InyAl1-yAs/GaAs, InyAl1-yAs/InP (НЕМТ, PНЕМТ, МНЕМТ и др.) для дискретных приборов и МИС СВЧ.
| Толщина слоев | 2...1000 нм |
| Неоднократность по толщине | 1,5% |
| По уровню легирования | 3,0% |
| Подвижность 770К | не менее 80000 см2/vc |
| Производительность Ø76, Ø101 | 10 шт/смена |
Диодные сборки
| Предельно допустимые | Напряжение изоляции, В | |
| Напряжение, В | Ток, мкА | |
| 600 | 100 | 1700 |
| 1200 | 50 | 1700 |
| 100 | 100 | 1700 |
Транзисторные сборки
| Предельно допустимые | Напряжение изоляции, В | |
| Напряжение, В | Ток, мкА | |
| 200 | 25 | 2500 |
| 100 | 25 | 2500 |
| 700 | 2000 | 6000 |
| 200 | 25 | 2500 |
| 200 | 25 | 2500 |
Металлизированные теплопроводы из CVD алмаза
| Размеры AxB (мм) | Толщина (мм) | Высокоадгезионная металлизация со всех сторон | Электрическая изоляция между верхней и нижней металлизацией |
| 3х3,5 | 0,1...0,5 | + | + |
| 5х5 | 0,1...0,5 | + | + |
