АО "НПП "Исток" им. Шокина"
 Карта сайта
en
ru
info@istokmw.ru
Электронная почта

Эпитаксиальные структуры

Распределение примесей в структурах кремния для p-i-n-диодов, варикапов и лавинно-пролетных диодов (ЛПД)

Распределение примесей в структурах кремния для p-i-n-диодов, варикапов и лавинно-пролетных диодов (ЛПД)

Характеристики эпитаксиальных структур

Тип приборов Тип структур Вид примесей Число слоёв толщина слоёв, мкм Уровень легирования, см-3
ЛПД

p++pp+n+nn++

p++pnn++

n++npp++p-

B; P; As 1...6 0,1...5 1015...1020
p-i-n-диод p+++n-n++

n++p-p++

B; P 1...3 1...20 1013...1019
Варикап p++n+n++ B; P; As 3...10 0,1...3 1015...1020

 

Технологический комплекс газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Комплекс AIXTRON-G3 предназначен для производства гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs, InyGa1-yAs/GaAs, InyAl1-yAs/GaAs, InyAl1-yAs/InP (НЕМТ, PНЕМТ, МНЕМТ и др.) для дискретных приборов и МИС СВЧ.

Толщина слоев 2...1000 нм
Неоднократность по толщине 1,5%
По уровню легирования 3,0%
Подвижность 770К не менее 80000 см2/vc
Производительность Ø76, Ø101 10 шт/смена

 

Диодные сборки

Предельно допустимые Напряжение изоляции, В
Напряжение, В Ток, мкА
600 100 1700
1200 50 1700
100 100 1700

Диодные сборки

 

Транзисторные сборки

Предельно допустимые Напряжение изоляции, В
Напряжение, В Ток, мкА
200 25 2500
100 25 2500
700 2000 6000
200 25 2500
200 25 2500

Транзисторные сборкиТранзисторные сборки

 

Металлизированные теплопроводы из CVD алмаза

Размеры AxB (мм) Толщина (мм) Высокоадгезионная металлизация со всех сторон Электрическая изоляция между верхней и нижней металлизацией
3х3,5 0,1...0,5 + +
5х5 0,1...0,5 + +

Металлизированные теплопроводы из CVD алмаза